[發明專利]NMOS一次可編程器件有效
| 申請號： | 200910057117.2 | 申請日： | 2009-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN101872646A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;陳瑜;熊濤;羅嘯;陳雄斌 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/08 | 分類號： | G11C17/08;G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nmos 一次 可編程 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種NMOS一次可編程器件，其特征在于，包括左右兩NMOS，左邊的NMOS的漏區即為右邊的NMOS的源區，右邊的NMOS柵為浮柵，左邊的NMOS柵極接字線，右邊的NMOS漏極接位線。
2.根據權利要求1所述的NMOS一次可編程器件，其特征在于，所述NMOS為耗盡NMOS或本征NMOS。
3.根據權利要求2所述的NMOS一次可編程器件，其特征在于，當進行編程時，在左邊的NMOS的源極和P襯底上都接0V，字線電壓大于等于0V，位線電壓大于4V。
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