[發(fā)明專利]氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910057028.8
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101859818A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武良文;簡奉任
• 申請（專利權(quán)）人: 山東璨圓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氮化鎵二極管裝置從下而上順序分別包括：基板，由氧化鋁單晶、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石和晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物的一種所制成；位于該基板一側(cè)的緩沖層；以及位于該緩沖層上的氮化鎵磊晶結(jié)構(gòu)，其中，該緩沖層進(jìn)一步包括：

第一緩沖層，位于該基板上，由有一特定組成的氮化硅Si_aN_b所構(gòu)成，其中a，b≥0，厚度介于之間，包含多個隨機(jī)分布群聚的屏蔽；以及

第二緩沖層，由該基板未被該第一緩沖層遮蓋的表面往上覆蓋于該第一緩沖層上，由有一特定組成的氮化鋁銦鎵Al_cIn_dGa_1-c-dN所構(gòu)成，0≤c，d＜1，c+d≤1，厚度介于之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該緩沖層進(jìn)一步包括第三緩沖層，位于該第二緩沖層上，由有一特定組成的氮化硅Si_kN_o所構(gòu)成，k，o≥0，厚度介于之間，包含多個隨機(jī)分布群聚的屏蔽。

3.一種氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氮化鎵二極管裝置從下而上順序分別包括：由藍(lán)寶石與碳化硅兩者之一所構(gòu)成的基板；位于該基板一側(cè)順序堆疊的多層的緩沖層；以及位于最上層的該緩沖層上的氮化鎵磊晶結(jié)構(gòu)，其中，每一個該緩沖層進(jìn)一步包括：

第一緩沖層，由有一特定組成的氮化硅Si_eN_f所構(gòu)成，e，f≥0，厚度介于之間，包含多個隨機(jī)分布群聚的屏蔽；以及

第二緩沖層，由未被該第一緩沖層遮蓋的表面往上覆蓋于該第一緩沖層上，由有一特定組成的氮化鋁銦鎵Al_gIn_hGa_1-g-hN所構(gòu)成，0≤g，h＜1，g+h≤1，厚度介于之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的所述氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該緩沖層進(jìn)一步包括第三緩沖層，位于最上層的該第二緩沖層上，由有一特定組成的氮化硅Si_pN_q所構(gòu)成，p，q≥0，厚度介于之間，包含多個隨機(jī)分布群聚的屏蔽。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的所述氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多層的緩沖層的層數(shù)介于2～10之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3的所述氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一緩沖層的各層的組成與厚度不必相同，該第二緩沖層的各層的組成與厚度不必相同。