[發(fā)明專利]頂層銅互連層的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910056768.X | 申請(qǐng)日: | 2009-08-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101996933A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周鳴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛崢;王麗琴 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 頂層 互連 制作方法 | ||
1.一種頂層銅互連層的制作方法,所述頂層銅互連層在其他銅互連層表面形成,該方法包括:
在刻蝕終止層的表面沉積摻有氟離子的硅玻璃FSG層;
在FSG層的表面沉積SiON層;
刻蝕所述SiON層和FSG層,在刻蝕終止層停止刻蝕,形成雙大馬士革結(jié)構(gòu);
將上述形成的器件置入反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行高溫灰化處理,將形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)時(shí),F(xiàn)SG層吸收的水氣揮發(fā)出去;
利用物理氣相沉積的方法,在所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)內(nèi)形成銅互連線,并對(duì)其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在刻蝕終止層與FSG層之間,進(jìn)一步包括沉積氧化層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為650~700毫托mtorr。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述反應(yīng)腔內(nèi)射頻功率為1000~1200瓦。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述反應(yīng)腔內(nèi)通入氧氣的流量為8500~9500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘sccm。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述高溫灰化處理的時(shí)間為75~85秒。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述高溫灰化處理的反應(yīng)腔溫度為245~255攝氏度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





