[發明專利]形成互連結構的方法有效
| 申請號： | 200910056735.5 | 申請日： | 2009-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN101996932A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發明（設計）人： | 陳險峰;王玉科 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳靖靚;李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 互連 結構 方法 | ||
1.一種形成互連結構的方法，其特征在于，包括：
提供依次包括互連層、第一介質層和第二介質層的晶圓，所述第一介質層中形成有導電插塞；
用干式蝕刻在所述第二介質層中形成開口，以暴露出所述導電插塞；
對所述暴露出導電插塞的晶圓進行熱處理工藝；
在所述第二介質層的開口中填充金屬。
2.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述熱處理工藝的加熱溫度為500℃～760℃，加熱時間為25±5s。
3.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述導電插塞為鎢插塞。
4.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述第二介質層的開口中填充的金屬為銅。
5.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述互連層為半導體器件層。
6.根據權利要求5所述的形成互連結構的方法，其特征在于，形成所述第一介質層的導電插塞包括：用干式蝕刻在所述第一介質層中形成接觸孔，以暴露出半導體器件的電極；在所述第一介質層的接觸孔中填充金屬，形成導電插塞。
7.根據權利要求6所述的形成互連結構的方法，其特征在于，還包括：用干式蝕刻在所述第一介質層中形成接觸孔后，對所述暴露出半導體器件的電極的晶圓進行熱處理工藝。
8.根據權利要求7所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述熱處理工藝的加熱溫度為200±20℃，加熱時間為25±5sn
9.根據權利要求6所述的形成互連結構的方法，其特征在于，還包括：在對所述暴露出半導體器件的電極的晶圓進行熱處理工藝后，濕式清洗所述暴露出半導體器件的電極的晶圓。
10.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，所述互連層為金屬布線層。
11.根據權利要求10所述的形成互連結構的方法，其特征在于，形成所述第一介質層的導電插塞包括：用干式蝕刻在所述第一介質層中形成接觸孔，以暴露出金屬布線；在所述第一介質層的接觸孔中填充金屬，形成導電插塞。
12.根據權利要求1所述的形成互連結構的方法，其特征在于，還包括：在對所述暴露出導電插塞的晶圓進行熱處理工藝后，濕式清洗所述暴露出導電插塞的晶圓。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
