[發明專利]顆粒控制的方法有效
| 申請號: | 200910056734.0 | 申請日: | 2009-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN101996851A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | 王邕保;郭景宗;三重野文健;金鐘雨 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顆粒 控制 方法 | ||
1.一種顆粒控制的方法,其特征在于,包括:
獲取晶圓表面或工藝環境中顆粒的特性值;
在任意四個連續特性值中有兩個特性值超過顆粒個數的允許上限值,另外兩個特性值中至少一個位于堆積區,判定為顆粒超標。
2.根據權利要求1所述顆??刂频姆椒?,其特征在于,如判定為顆粒超標清洗晶圓表面或停機檢測或對工藝環境進行清潔。
3.根據權利要求1所述顆??刂频姆椒ǎ涮卣髟谟冢鋈我馑膫€連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是前兩個特性值超過顆粒個數的允許上限值,后兩個特性值低于顆粒個數的允許上限值。
4.根據權利要求1所述顆粒控制的方法,其特征在于,所述任意四個連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是后兩個特性值超過顆粒個數的允許上限值,前兩個特性值低于顆粒個數的允許上限值。
5.根據權利要求1所述顆??刂频姆椒ǎ涮卣髟谟冢鋈我馑膫€連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是第一個特性值和第三個特性值低于顆粒個數的允許上限值,第二個特性值和第四個特性值超過顆粒個數的允許上限值。
6.根據權利要求1所述顆粒控制的方法,其特征在于,所述任意四個連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是第二個特性值和第四個特性值低于顆粒個數的允許上限值,第一個特性值和第三個特性值超過顆粒個數的允許上限值。
7.根據權利要求1所述顆粒控制的方法,其特征在于,所述任意四個連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是第一個特性值和第四個特性值低于顆粒個數的允許上限值,第二個特性值和第三個特性值超過顆粒個數的允許上限值。
8.根據權利要求1所述顆??刂频姆椒ǎ涮卣髟谟冢鋈我馑膫€連續特性值中兩個超過顆粒個數的允許上限值是第二個特性值和第三個特性值低于顆粒個數的允許上限值,第一個特性值和第四個特性值超過顆粒個數的允許上限值。
9.根據權利要求1所述顆??刂频姆椒ǎ涮卣髟谟冢に嚟h境中的顆粒用顆粒收集器件進行收集取樣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





