[發(fā)明專利]晶圓的清洗方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910056732.1 | 申請日： | 2009-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN101992195A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王津洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/10 | 分類號： | B08B3/10;B08B3/08;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 清洗 方法 | ||
1.一種晶圓表面的清洗方法，其特征在于，包括：
將表面帶有顆粒物的晶圓放入清洗槽內(nèi)，所述清洗槽內(nèi)的溶液包含氫離子或氫氧根離子；
將晶圓與清洗槽內(nèi)的電極平行放置，并連接至同一電源；
利用外加電場的作用，將晶圓上顆粒物與晶圓分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述晶圓置于清洗槽內(nèi)的方式為垂直方式或水平方式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述晶圓在清洗槽內(nèi)作為陽極，陰極材料為鉑或其它耐熱金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)所加電流為直流電或交流電或脈沖電流，電壓為小于等于10V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)的溶液的PH值范圍為：5＜PH＜9。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)的溫度為15℃～100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述晶圓放入清洗池內(nèi)加電流進(jìn)行反應(yīng)去除顆粒物的時間為10秒～30分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述顆粒物包含硅或硅的氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述顆粒物的尺寸小于45nm。
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