[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910056725.1
• 申請(qǐng)日: 2009-08-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101996931A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王琪;牛孝昊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L21/321;H01L23/532
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，所述襯底表面形成有金屬層；

對(duì)所述金屬層進(jìn)行退應(yīng)力；

在所述金屬層表面形成隔離層；

在所述隔離層表面形成絕緣結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述對(duì)所述金屬層進(jìn)行退應(yīng)力的工藝為熱處理工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述熱處理工藝的溫度為380攝氏度至420攝氏度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述對(duì)金屬層退應(yīng)力和所述在金屬層表面形成隔離層在同一設(shè)備的腔室完成。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述熱處理工藝的具體參數(shù)為：設(shè)備腔室溫度為380攝氏度至420攝氏度，保護(hù)氣體為N₂或者Ar，保護(hù)氣體流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，熱處理時(shí)間為15秒至25秒。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述隔離層材料為氮化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述隔離層厚度為700埃至800埃。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述隔離層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層的具體工藝參數(shù)為：反應(yīng)溫度為350攝氏度至450攝氏度，腔室壓力為3托至5托，反應(yīng)間距為10毫米至18毫米，功率為700瓦至900瓦，SiH₄為每分鐘400標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘600標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，NH₃流量為每分鐘100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，N2流量為每分鐘17000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘19000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)為單一絕緣層結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)為多層絕緣層疊加結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括：第一絕緣層；形成在第一絕緣層表面的第二絕緣層；形成在第二絕緣層表面的第三絕緣層。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層材料為SiO₂。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為2000埃至4000埃。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層的具體形成工藝為：反應(yīng)溫度為350攝氏度至450攝氏度，腔室壓力為4托至6托，反應(yīng)間距為5毫米至10毫米，功率為700瓦至900瓦，四乙基硅烷為每分鐘4500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘6500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氦氣流量為每分鐘3000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘5000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氧氣流量為每分鐘3000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘5000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。

16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層材料為氮化硅。

17.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層厚度為700埃至800埃。

18.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第三絕緣層為SiO₂。

19.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第三絕緣層的厚度為2000埃至4000埃。