[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910056625.9
• 申請(qǐng)日: 2009-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN101996948A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜學(xué)東;韋磊;陳美麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/311;G03F7/42
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成第一柵氧化層，所述半導(dǎo)體襯底分為高壓MOS區(qū)和低壓MOS區(qū)；

在第一柵氧化層上形成光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝后，露出低壓MOS區(qū)的第一柵氧化層；

將半導(dǎo)體襯底放入刻蝕機(jī)臺(tái)內(nèi)，所述機(jī)臺(tái)內(nèi)包含緩沖氧化蝕刻劑槽和硫酸槽；

以光刻膠層為掩膜，先將半導(dǎo)體襯底放入內(nèi)，刻蝕去除低壓MOS區(qū)的第一柵氧化層；

將半導(dǎo)體襯底從緩沖氧化蝕刻劑槽內(nèi)取出，放入硫酸槽內(nèi)，刻蝕去除光刻膠層；

將半導(dǎo)體襯底從刻蝕機(jī)臺(tái)內(nèi)取出后，在高壓MOS區(qū)的第一柵氧化層上及低壓MOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第二柵氧化層；

分別在高壓MOS區(qū)和低壓MOS區(qū)形成柵極及源/漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述刻蝕機(jī)臺(tái)型號(hào)為Mattson?AWP200。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述緩沖氧化蝕刻劑槽內(nèi)溶液的濃度比為H₂O∶HF∶NH₄F＝130∶1∶7。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述硫酸槽內(nèi)溶液的濃度比為H₂SO₄∶H₂O＝5∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成第一柵氧化層的方法為濕氧法，厚度為300埃～400埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成第二柵氧化層的方法為濕氧法，厚度為50埃～90埃。