[發(fā)明專利]利用單一金屬化的焊盤下的器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910056526.0 | 申請日： | 2009-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN101996993A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉志綱;俞大立 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L23/528;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 單一 金屬化 焊盤下 器件 | ||
1.一種集成電路器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
形成在所述半導(dǎo)體襯底上的多個有源MOS器件；
上覆于所述多個有源MOS器件的層間電介質(zhì)層；
在所述層間電介質(zhì)層中形成的至少六個圖案化的金屬層；
形成在所述層間電介質(zhì)層上且在至少一個所述有源器件的直接上方的至少一個單一金屬焊盤；
形成在所述至少一個單一金屬焊盤的上方的具有一個開口的鈍化層；
所述多個有源MOS器件和所述至少一個單一金屬焊盤之間的無緩沖金屬層區(qū)域，所述無緩沖金屬層區(qū)域在整個的所述層間電介質(zhì)層之中；
其中，在所述單一金屬焊盤的下面，所述層間電介質(zhì)層基本不含所述緩沖金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述單一金屬焊盤的特征是一個具有四個邊角的正方形，每一個所述邊角具有一個角部切除區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的器件，其中所述角部切除區(qū)域是圓角。
4.如權(quán)利要求3所述的器件，其中所述角部切除區(qū)域是成角度的。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述單一金屬焊盤具有50微米或者更小的長度。
6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤基本不含所述緩沖金屬層，所述緩沖金屬層耦合到所述單一金屬焊盤，以防止焊接過程中所述層間電介質(zhì)層中的任何裂縫。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤具有0.8微米或者更小的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤包括含鋁材料。
9.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤的特征是一個具有四個角部切除區(qū)域的正方形，所述單一金屬焊盤包含基本95％的完整正方形區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的器件，其中在整個所述層間電介質(zhì)層中不含所述緩沖金屬層的所述層間電介質(zhì)層允許在所述層間電介質(zhì)層中再布置至少另外一條金屬線。
11.一種集成電路器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
形成在所述半導(dǎo)體襯底上的多個有源MOS器件；
上覆于所述多個有源MOS器件的層間電介質(zhì)層；
形成在所述層間電介質(zhì)層上且在至少一個所述有源器件的直接上方的至少一個單一金屬焊盤；
形成在正方形的所述至少一個單一金屬焊盤上的至少四個邊角區(qū)域；
形成在所述四個邊角區(qū)域的每一個上的成角度切除區(qū)域，所述成角度切除區(qū)域位于所述至少一個單一金屬焊盤的正方形的界限內(nèi)；
形成在所述至少一個單一金屬焊盤上方的具有一個開口的鈍化層；
在所述多個有源MOS器件和所述至少一個單一金屬焊盤之間的無緩沖金屬層區(qū)域，所述無緩沖金屬層區(qū)域處在整個的所述層間電介質(zhì)層中；
其中，在所述單一金屬焊盤下面，所述層間電介質(zhì)層基本不含所述緩沖金屬層。
12.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述單一金屬焊盤具有50微米或者更小的長度。
13.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤基本不含所述緩沖金屬層，所述緩沖金屬層耦合到所述單一金屬焊盤，以防止焊接過程中所述層間電介質(zhì)層中的任何裂縫。
14.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤具有0.8微米或者更小的厚度。
15.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述至少一個單一金屬焊盤包括含鋁材料。
16.一種集成電路器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
形成在所述半導(dǎo)體襯底上的多個有源MOS器件；
上覆于所述多個有源MOS器件的層間電介質(zhì)層；
形成在所述層間電介質(zhì)中的至少三個圖案化的金屬層；
形成在所述層間電介質(zhì)層上且在至少一個所述有源器件的直接上方的至少一個單一金屬焊盤；
形成在所述至少一個單一金屬焊盤上方的具有一個開口的鈍化層；
在所述多個有源MOS器件和所述至少一個單一金屬焊盤之間的無緩沖金屬層區(qū)域，所述無緩沖金屬層區(qū)域處在整個的所述層間電介質(zhì)層中；
其中，在所述單一金屬焊盤下面，所述層間電介質(zhì)層基本不含所述緩沖金屬層。
17.一種集成電路器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
形成在所述半導(dǎo)體襯底上的多個有源MOS器件；
上覆于所述多個有源MOS器件的層間電介質(zhì)層；
形成在所述層間電介質(zhì)層中的至少三個圖案化金屬層；
形成在所述層間電介質(zhì)層上且在至少一個所述有源器件的直接上方的至少一個單一金屬焊盤；
形成在所述至少一個單一金屬焊盤上方的具有一個開口的鈍化層；
其中，在所述單一金屬焊盤下面，所述層間電介質(zhì)層基本不含所述緩沖金屬層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
