[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910056523.7
• 申請(qǐng)日: 2009-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN101996899A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉釗;朱虹;徐錦心;奚民偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/60;H01L27/146;H01L23/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳靖靚;李麗

1.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，所述晶圓包括形成有圖像傳感區(qū)和電極墊的正面及相對(duì)于所述正面的背面；

用壓模法在所述晶圓正面覆蓋樹脂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述圖像傳感區(qū)包括微透鏡，所述樹脂層的折射率小于所述微透鏡的折射率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述樹脂層的折射率小于或等于1.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述樹脂層的材料為硅膠或環(huán)氧樹脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述樹脂層的厚度為200μm～700μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述樹脂層的厚度為400μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，用壓模法在所述晶圓正面覆蓋樹脂層后，還包括：在所述晶圓背面形成連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述晶圓背面形成連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)包括：

研磨所述晶圓背面；

在所述晶圓背面形成通孔，以暴露出所述電極墊；

在所述晶圓背面和通孔表面形成保護(hù)層，并去除所述電極墊表面的保護(hù)層；

填充所述通孔并在通孔表面形成通孔接觸；

在所述通孔接觸表面形成焊塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述晶圓背面形成連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)后，還包括：在所述樹脂層上增加透鏡單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述樹脂層上增加透鏡單元包括：用壓模法在所述樹脂層上覆蓋聚光樹脂。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述聚光樹脂的材料為硅膠或環(huán)氧樹脂。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述樹脂層上增加透鏡單元包括：用透鏡支架將聚光透鏡固定在樹脂層上方。

13.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：

晶圓，包括形成有圖像傳感區(qū)和電極墊的正面及相對(duì)于所述正面的背面；

樹脂層，用壓模法覆蓋在所述晶圓正面。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感區(qū)包括微透鏡，所述樹脂層的折射率小于所述微透鏡的折射率。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述樹脂層的折射率小于或等于1.5。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述樹脂層的材料為硅膠或環(huán)氧樹脂。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述樹脂層的厚度為200μm～700μm。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述樹脂層的厚度為400μm。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的CMOS圖像傳感器，還包括：連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)，形成在所述晶圓背面。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)包括：

通孔，形成在所述晶圓背面，并暴露出所述電極墊；

保護(hù)層，形成在所述晶圓背面和通孔表面，并暴露出所述電極墊；

導(dǎo)電材料，填充所述通孔；

通孔接觸，形成在通孔表面并連接所述導(dǎo)電材料；

焊塊，形成在所述通孔接觸表面。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括：樹脂層上的透鏡單元。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述透鏡單元包括聚光樹脂，用壓模法覆蓋在所述樹脂層上。