[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910056134.4
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101989456A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃艷;黃威森;顧一鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;H01L27/11
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作技術(shù)，特別涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，可以制造越來越多的半導(dǎo)體器件，其中一種就是SRAM。圖1為現(xiàn)有的SRAM電路結(jié)構(gòu)圖，如圖所示，該SRAM中，在電壓Vcc和地(Vss)之間，包括六個場效應(yīng)晶體管，分別為場效應(yīng)晶體管PG_1、場效應(yīng)晶體管PG_r、場效應(yīng)晶體管PU_1、場效應(yīng)晶體管PU_r、場效應(yīng)晶體管PD_1和場效應(yīng)晶體管PD_r。其中，場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極空置，漏極接入一個位線(BL，Byte?Line)，源極分別接入場效應(yīng)晶體管PU_1的漏極和場效應(yīng)晶體管PU_r的柵極；PG_r的柵極空置，漏極接入另一個位線(BLB)，源極分別接入場效應(yīng)晶體管PU_r的漏極和場效應(yīng)晶體管PU_1的柵極；場效應(yīng)晶體管PU_1的源極接Vcc，漏極和柵極分別與場效應(yīng)晶體管PD_1的漏極和柵極相連；場效應(yīng)晶體管PD_r的源極接入Vss，漏極和柵極分別與場效應(yīng)晶體管PD_1的漏極和柵極相連；場效應(yīng)晶體管PU_r的源極接入Vcc，漏極和柵極分別與場效應(yīng)晶體管PD_r的漏極和柵極相連；場效應(yīng)晶體管PD_r的源極接入Vss，漏極和柵極分別與場效應(yīng)晶體管PD_1的漏極和柵極相連。該電路可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲，在Vcc掉電時所存儲的數(shù)據(jù)同時丟失。

在該SRAM中，場效應(yīng)晶體管PG_1、場效應(yīng)晶體管PG_r、場效應(yīng)晶體管PU_1、場效應(yīng)晶體管PU_r、場效應(yīng)晶體管PD_1和場效應(yīng)晶體管PD_r可以為NPN晶體管，也可以為PNP晶體管。

在采用半導(dǎo)體制程技術(shù)制作圖1所述的SRAM時，首先需要構(gòu)造布局圖，如圖2所示，圖2為現(xiàn)有技術(shù)SRAM的布局圖，字線(WL，Word?Line)表示為用于制作場效應(yīng)管的多晶硅層和柵氧層，Vss為接地的方向，Vcc為施加的電壓，BL和BLB為兩條位線。在該SRAM中，包括用點(diǎn)表示的半導(dǎo)體器件襯底；在半導(dǎo)體器件襯底上采用光刻和離子注入方式得到的有源區(qū)(AA)，該有源區(qū)用左斜線表示，其中包括六個場效應(yīng)晶體管，即場效應(yīng)晶體管PG_1、場效應(yīng)晶體管PG_r、場效應(yīng)晶體管PU_1、場效應(yīng)晶體管PU_r、場效應(yīng)晶體管PD_1和場效應(yīng)晶體管PD_r的源漏極；在半導(dǎo)體器件襯底上通過沉積、光刻及離子注入方式得到的六個場效應(yīng)晶體管的柵極，采用右斜線表示。可以看出，六個場效應(yīng)晶體管的柵極和半導(dǎo)體器件襯底的AA有重疊。其中，對于場效應(yīng)晶體管PG_1和場效應(yīng)晶體管PG_r來說，其柵極與AA之間的距離決定了形成的場效應(yīng)晶體管PG_1和場效應(yīng)晶體管PG_r的導(dǎo)電溝道的寬窄。另外，在制造AA時，先在掩膜版上制造AA圖形，該AA圖形的各個拐角區(qū)域都為直角，然后采用曝光方式將AA圖形曝光在半導(dǎo)體器件襯底的光刻膠層后，按照該AA圖形進(jìn)行離子注入得到AA。

由場效應(yīng)晶體管的原理可以得知，導(dǎo)電溝道的寬窄對最終得到的場效應(yīng)晶體管性能起著決定性的作用，導(dǎo)電溝道越寬，最終得到的場效應(yīng)晶體管的飽和電流越大以及飽和電壓也越大。從圖2可以看出，場效應(yīng)晶體管PG_1和場效應(yīng)晶體管PG_r是對稱分布的，在制版時，場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極與AA距離和場效應(yīng)晶體管PG_r的相同，以保證最終得到SRAM的匹配特性。但是，在實(shí)際制作時，特別是采用光刻制作場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極時和場效應(yīng)晶體管PG_r的柵極時，是采用掩膜版將柵極圖形一次曝光到該半導(dǎo)體器件襯底的光刻膠層后，按照該柵極圖形依次刻蝕該半導(dǎo)體器器件襯底上的多晶硅層和柵氧層得到的。在進(jìn)行曝光過程中，有很大可能因?yàn)槲磳⒀谀ぐ鎸?zhǔn)半導(dǎo)體器件襯底或因?yàn)楣鈱W(xué)臨近修正(OPC)，而導(dǎo)致曝光得到的柵極圖形上下偏移，最終導(dǎo)致所形成的場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極和場效應(yīng)晶體管PG_r的柵極相對于AA同時上偏或下偏，如圖3所示，圖3所示為所形成的場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極和場效應(yīng)晶體管PG_r的柵極相對于AA，整體上偏的示意圖。在圖3中場效應(yīng)晶體管PG_1的柵極和AA的距離明顯比場效應(yīng)晶體管PG_r的柵極和AA的距離大，在嚴(yán)重時，還可能導(dǎo)致場效應(yīng)晶體管PG_1或場效應(yīng)晶體管PG_r的柵極和其AA重合。導(dǎo)致制成的SRAM中的場效應(yīng)晶體管PG_1和場效應(yīng)晶體管PG_r的特性不一致，最終導(dǎo)致制成的SRAM的工作性能，稱為性能失配。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種SRAM，該SRAM解決的問題是防止最終形成的SRAM性能失配。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的：