[發明專利]晶圓切割的方法

無效

• 申請號: 200910056124.0
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101989572A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 趙俊;金寶寧;秦偉;楊渝書;單雙
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/311
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種晶圓切割的方法，提供一具有切割道和芯片的晶圓，該方法包括：

沿晶圓切割道干法刻蝕到半導體襯底；

對所述晶圓進行背部減薄；

采用濕法刻蝕將芯片分離。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的具體方法為：

在所述晶圓表面涂布光阻膠層；

曝光顯影圖案化所述光阻膠層，所述圖案化光阻膠層的開口對準切割道；

以所述圖案化的光阻膠層為掩膜，對切割道的氮化層和氧化層依次進行刻蝕，在切割道露出晶圓的半導體襯底。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化層的厚度為5000～10000埃；所述氧化層的厚度為40000～70000埃。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，刻蝕氮化層在刻蝕反應腔內進行，刻蝕反應腔壓力為100～200毫托mT；高頻射頻功率為1000～2000瓦；低頻頻射頻功率為300～600瓦；氬氣Ar的流量為200～400標準立方厘米/分鐘sccm；六氟化硫SF₆的流量為10～40sccm；三氟甲烷CHF₃的流量為10～40sccm；四氟化碳CF₄的流量為20～50sccm。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氮化層的時間為100～200秒。

6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，刻蝕氧化層在刻蝕反應腔內進行，刻蝕反應腔壓力為50～120mT；高頻射頻功率為1000～2000瓦；低頻頻射頻功率為600～1000瓦；所Ar的流量為100～200sccm；八氟化四碳C₄F₈的流量為10～30sccm；氧氣的流量為10～30sccm。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氧化層的時間為300～500秒。

8.如權利要求1至7任一項所述的方法，其特征在于，所述對晶圓減薄后的厚度為80～100微米。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕將芯片分離采用硫酸。