[發明專利]避免光刻膠層圖形損傷的方法有效
| 申請號： | 200910055937.8 | 申請日： | 2009-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN101989045A | 公開（公告）日： | 2011-03-23 |
| 發明（設計）人： | 陳明 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 避免 光刻 圖形 損傷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種避免光刻膠層圖形損傷的方法，該方法包括：
在晶圓襯底上旋涂光刻膠層后，旋涂阻止頂部抗反射層中的酸性陽離子擴散到光刻膠層的獨立層；
在獨立層旋涂頂部抗反射層；
以掩膜圖形對晶圓襯底上的光刻膠層進行曝光；
進行顯影過程中，頂部抗反射層、獨立層及光刻膠層的掩膜圖形區域被去除，在晶圓的光刻膠層上形成光刻膠層圖形。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獨立層為400埃～700埃厚。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述獨立層為四甲基二戊醇。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910055937.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
