[發(fā)明專利]光掩膜的鉻金屬膜去除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910055834.1
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN101989035A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃金;葛海鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/08
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種光掩膜的鉻金屬膜去除方法，所述光掩膜包括石英基板、以及依次鍍在石英基板上的相位偏移膜及鉻金屬膜，該方法包括：

在鉻金屬膜上涂布第一光刻膠層后，進(jìn)行光掩膜圖形的圖案化；

以圖案化的光刻膠層作為保護(hù)層，刻蝕鉻金屬膜形成光掩膜圖形，去除第一光刻膠層；

以鉻金屬膜作為保護(hù)層，干法刻蝕相位偏移膜形成相位偏移光掩膜圖形；

在鉻金屬膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻膠層后，進(jìn)行鉻金屬膜所需圖形的圖案化；

以圖案化的第二光刻膠層作為保護(hù)層，濕法刻蝕鉻金屬膜形成鉻金屬膜所需圖形后，再以圖案化的第二光刻膠層作為保護(hù)層，干法刻蝕殘留的鉻金屬膜，去除光刻膠層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述再以圖案化的第二光刻膠層作為保護(hù)層，干法刻蝕鉻金屬膜在反應(yīng)室完成。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)室通入的干法刻蝕鉻金屬膜氣體為氯氣、氧氣和氦氣。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氯氣通入反應(yīng)室的劑量為20～200毫升/分鐘；

所述氧氣通入反應(yīng)室的劑量為1～100毫升/分鐘；

所述氦氣通入反應(yīng)室的劑量為1～100毫升/分鐘。

5.如權(quán)利要求2、3或4所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)室的壓力為6～10毫托；反應(yīng)室內(nèi)的垂直射頻功率范圍為10～500瓦特；反應(yīng)室內(nèi)的橫向射頻功率范圍為400～800瓦特。