[發(fā)明專利]一種提高電阻隨機(jī)存儲器數(shù)據(jù)保持能力的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910055813.X | 申請日： | 2009-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN101989644A | 公開（公告）日： | 2011-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林殷茵;萬海軍;周鵬;呂杭炳 | 申請（專利權(quán)）人： | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 電阻 隨機(jī) 存儲器 數(shù)據(jù) 保持 能力 方法 | ||
1.一種提高電阻隨機(jī)存儲器數(shù)據(jù)保持能力的方法，所述電阻隨機(jī)存儲器包括下電極、金屬氧化物存儲介質(zhì)層、上電極，其特征在于，在所述電阻隨機(jī)存儲器的電極和金屬氧化物存儲介質(zhì)層之間插入介質(zhì)薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述電阻隨機(jī)存儲器的上電極和金屬氧化物存儲介質(zhì)層之間插入一層介質(zhì)薄膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述電阻隨機(jī)存儲器的下電極和金屬氧化物存儲介質(zhì)層之間插入一層介質(zhì)薄膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述電阻隨機(jī)存儲器的上電極和金屬氧化物存儲介質(zhì)層之間插入第一層介質(zhì)薄膜層，同時在所述電阻隨機(jī)存儲器的下電極和金屬氧化物存儲介質(zhì)層之間均插入第二層介質(zhì)薄膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜層為金屬氧化物或金屬氮氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物中的金屬元素不同于金屬氧化物存儲介質(zhì)層中的金屬元素。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜層為金屬氧化物或金屬氮氧化物，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物中的金屬元素與所述上電極的金屬元素相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過薄膜沉積的方法形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過金屬氧化物存儲介質(zhì)層中的氧元素擴(kuò)散至上電極使上電極氧化形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜層為金屬氧化物或金屬氮氧化物，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物中的金屬元素與所述下電極的金屬元素相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過薄膜沉積的方法生形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過金屬氧化物存儲介質(zhì)層中的氧元素擴(kuò)散至下電極使下電極氧化形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一層介質(zhì)薄膜層為金屬氧化物或金屬氮氧化物，其金屬氧化物或金屬氮氧化物中的金屬元素與所述上電極的金屬元素相同；所述第二層介質(zhì)薄膜層為金屬氧化物或金屬氮氧化物，其金屬氧化物或金屬氮氧化物中的金屬元素與所述下電極的金屬元素相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過薄膜沉積的方法生形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮氧化物通過金屬氧化物存儲介質(zhì)層中的氧元素擴(kuò)散至電極使下電極或者下電極氧化形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物存儲介質(zhì)層為銅的氧化物、鎳的氧化物、鈦的氧化物、鋯的氧化物、鋅的氧化物、鎢的氧化物之一。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述上電極材料是Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金之一，或者是Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金中任意兩者組合的復(fù)合層材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述下電極材料是Cu、W、Ni、Zr、Ta、TaN、Ti、TiN、Zn、Al之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜介質(zhì)層的厚度范圍為1納米到20納米。
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