[發(fā)明專利]改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910055600.7 | 申請日： | 2009-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN101615544A | 公開（公告）日： | 2009-12-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐東;趙波;陳長鑫;張亞非 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 納米 薄膜 發(fā)射 性能 方法 | ||
1、一種改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一，在平面基底上鍍覆金屬薄膜；
步驟二，在金屬薄膜上沉積碳納米管薄膜；
步驟三，超聲納米焊接金屬薄膜與碳納米管薄膜，得到場發(fā)射性能改善的碳納米管薄膜。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征是，步驟一中，所述平面基底的材料為玻璃，硅片，陶瓷和金屬中的任意一種。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征是，步驟一中，所述鍍覆選自以下方法中的任意一種：電子束蒸發(fā)法，磁控濺射法，氣相沉積法和化學(xué)鍍法。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征是，步驟一中，所述金屬為W，Mo，Au，Ni，Ti，Cr，Pt和Pd中的任意一種。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征是，步驟二中，所述沉積選用以下方法中的任意一種：電泳沉積法，介電泳沉積法，靜電噴涂法，旋涂法，提拉法和LB法。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善碳納米管薄膜場發(fā)射性能的方法，其特征是，步驟三中，所述超聲納米焊接具體為：使用金屬或陶瓷點(diǎn)陣焊頭，焊頭的面積為1～100mm2，焊點(diǎn)的尺寸為1～900μm2，超聲焊接頻率為60kHz，超聲能量為0.1～5J，壓力為0.2～0.4MPa，焊接時(shí)間為0.1～5秒。
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