[發明專利]相變存儲單元和其加熱層的制作方法

無效

• 申請號: 200910055512.7
• 申請日: 2009-07-28
• 公開（公告）號: CN101969099A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 王良詠;向陽輝;張復雄;鐘F;林靜;馮永剛;宋志棠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C11/56
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種相變存儲單元的加熱層的制作方法，包括：

在基底上沉積氮化鈦薄膜；

在氮氧混合氣體環境中，將所述氮化鈦薄膜進行退火，形成氮氧化鈦薄膜。

2.如權利要求1所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉積氮化鈦薄膜的方法是原子層沉積法。

3.如權利要求1所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉積氮化鈦薄膜的方法是化學其相沉積法。

4.如權利要求1所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉積氮化鈦薄膜的方法是使用金屬前驅體在基底上沉積氮化鈦薄膜。

5.如權利要求4所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述金屬前驅體為二乙氨基四鈦(TDEAT)或二甲氨基四鈦(TDMAT)。

6.如權利要求1所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，氮氣在所述氮氧混合氣體中所占的體積比大于等于50％。

7.如權利要求1-6中任一項所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為大于等于150度小于等于350度。

8.如權利要求1-6中任一項所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，所述退火的時間為60秒～3600秒。

9.如權利要求1-6中任一項所述的相變存儲單元的加熱層的制作方法，其特征在于，形成的所述氮氧化鈦薄膜的厚度為1nm至10nm、電阻率為10^-4～1Ω·m。

10.一種相變存儲單元包括：襯底、位于所述襯底上的絕緣層、貫穿所述絕緣層的相變單元，所述相變單元包括依次形成在所述襯底上的下電極、第一加熱層、第一相變層、上電極，所述第一加熱層的材料為氮氧化鈦。

11.如權利要求10所述相變存儲單元，其特征在于，所述下電極和所述第一加熱層之間還包括第二相變層。

12.如權利要求10所述相變存儲單元，其特征在于，所述相變層和所述上電極之間還包括第二加熱層。

13.如權利要求11或12所述相變存儲單元，其特征在于，所述襯底的材料為硅，絕緣層的材料為氧化硅、所述上電極的材料為鋁和所述下電極的材料為氮化鈦，所述第一相變層的材料為硫族化合物合金薄膜。

14.如權利要求11或12所述相變存儲單元，其特征在于，形成的所述氮氧化鈦薄膜的厚度為1nm～10nm、電阻率為10^-4～1Ω·m。