[發(fā)明專利]淺溝槽隔離區(qū)的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910055434.0
• 申請日: 2009-07-27
• 公開（公告）號: CN101969039A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐兆云
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種淺溝槽隔離區(qū)的制作方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次沉積隔離氧化層和氮化硅層；

淺溝槽的刻蝕；

在同一反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行襯墊氧化硅的生長和淺溝槽隔離區(qū)的高溫?zé)嵬嘶穑?/p>

在淺溝槽內(nèi)填充溝槽氧化物及對該溝槽氧化物拋光。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在完成襯墊氧化硅的生長之后，所述反應(yīng)腔內(nèi)溫度由襯墊氧化硅的生長溫度升至淺溝槽隔離區(qū)的高溫?zé)嵬嘶饻囟取?/p>

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述襯墊氧化硅的生長溫度為950～1050攝氏度。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離區(qū)的高溫?zé)嵬嘶饻囟葹?050～1150攝氏度。