[發明專利]閃存器件的多晶字線頂端區域的制作方法有效
| 申請號： | 200910055433.6 | 申請日： | 2009-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN101969049A | 公開（公告）日： | 2011-02-09 |
| 發明（設計）人： | 于紹欣;陳建利;韓永召;郭佳衢;蔡信裕 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8249 | 分類號： | H01L21/8249;H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃存 器件 多晶 頂端 區域 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種閃存器件的多晶字線頂端區域的制作方法，適用于閃存器件的多晶字線及連接的雙二極管結構的制作，包括：
在P型硅襯底上形成N阱、深層N阱和P阱；
在P型硅襯底上形成淺溝槽隔離STI；
在STI上形成多晶字線，其中奇數多晶字線頂端成圣誕樹形狀，通過上層的接觸孔經金屬層與雙二極管結構連接；
在STI中通過離子注入，先后在P型源極區和N阱之間形成P型輕摻雜區、P型源極區和P型漏極區以及N型柵極區，構成雙二極管結構；
對奇數多晶字線、P型源極區、N型柵極區和P型漏極區形成上層接觸孔后，其中奇數多晶字線和P型源極區分別通過上層接觸孔與同一金屬層連接。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型輕摻雜區的摻雜物質為硼或氟化硼。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述P型輕摻雜區的離子注入采用的能量為15～25千電子伏特，劑量為1.5～2.5×103原子/每平方厘米，垂直無傾斜角度注入。
4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述P型輕摻雜區的離子注入是和閃存器件的外圍CMOS電路采用輕摻雜漏LDD工藝的離子注入同時進行的。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910055433.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種內抱式手動開窗器
- 下一篇：防盜門
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
