[發明專利]單層多晶硅HBT非本征基區的摻雜方法

有效

• 申請號: 200910055367.2
• 申請日: 2009-07-24
• 公開（公告）號: CN101599435A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 吳小利
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種單層多晶硅HBT非本征基區的摻雜方法，其特征在于，包括 如下步驟：

(1)在襯底上制備淺槽隔離區；

(2)在襯底上通過離子注入形成集電區；

(3)在襯底表面通過外延生長SiGe的方法形成基區；

(4)在所述基區上面制備發射極，所述發射極的延展區寬度覆蓋非 本征基區；

(5)在淺槽隔離區上淀積或生長外延多晶硅區，通過離子注入實現 多晶硅的高濃度摻雜；

(6)將高濃度摻雜的多晶硅區作為對所述非本征基區摻雜的雜質源， 通過熱處理實現對所述非本征基區的摻雜；

其中，步驟(5)所述的高濃度摻雜的雜質濃度范圍為1e20cm^-3～5e20 cm^-3。