[發(fā)明專利]形成焊接凸塊的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910055365.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101964315A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佟大明;梅娜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 焊接 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片封裝(WLCSP,Wafer?Level?Chip?Scale?Packing)的焊接凸塊的形成方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與革新,電子產(chǎn)品邁向輕薄短小設(shè)計(jì)的潮流,半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域也對(duì)應(yīng)的開發(fā)出許多高密度的封裝形式。目前,晶圓在完成前段制程之后,為了滿足不同的應(yīng)用需求,一般會(huì)對(duì)應(yīng)需求做重布線焊墊(RDL?pad),然后再在重布線焊墊上形成凸塊下金屬層(UBM,Under?Bump?Metallurgy),再于凸塊下金屬層上形成焊接凸塊,并以回焊方式借助焊接凸塊連接至基板上。上述即為傳統(tǒng)的覆晶封裝(Flip?chip?in?Package)制成。
發(fā)展到目前的半導(dǎo)體封裝形式,可以做到直接將錫材質(zhì)焊接凸塊放置在銅材質(zhì)的重布線焊墊上,而不再需要其它的諸如鎳、金等凸塊下金屬層(UBM),使得芯片封裝工藝得到簡(jiǎn)化、芯片制造成本降低。詳細(xì)來說,上述形成焊接凸塊的方法是:
參見圖1,S101,提供半導(dǎo)體基底,其可為晶圓,并且為已完成內(nèi)部組件及線路設(shè)置的晶圓。
S102,在上述半導(dǎo)體基底上形成銅材質(zhì)的重布線焊墊。
S103,在基底和重布線焊墊上形成再鈍化層,在需要形成焊接凸塊的位置作開口,露出重布線焊墊。再鈍化層的主要作用是作為緩沖層,以緩解后續(xù)填充焊料時(shí)的沖擊應(yīng)力。
S104,用助焊劑清洗出露的重布線焊墊,去除重布線焊墊表層的銅氧化物(CuxO,可能是CuO或Cu2O或二者的混合物)薄層,以使得焊料與重布線焊墊更好地結(jié)合。
S105,將焊料填充至開口內(nèi)(例如植球工藝),形成焊接凸塊。
后續(xù)還可以通過剝除再鈍化層、進(jìn)行回焊和去助焊劑,借助焊接凸塊將晶圓連接至基板上。
采用上述工藝,當(dāng)用助焊劑清洗出露的重布線焊墊時(shí),實(shí)際上,助焊劑不僅刻蝕了出露的重布線焊墊表層,而且還會(huì)順著銅氧化物(CuxO)薄層的實(shí)際分布情況對(duì)與再鈍化層結(jié)合的重布線焊墊表層也產(chǎn)生刻蝕,這樣在重布線焊墊與再鈍化層之間就形成縫隙,隨后的植球工藝中,焊料會(huì)延伸至縫隙中,形成滲鍍現(xiàn)象,參見圖2中的箭頭位置。滲鍍現(xiàn)象造成芯片上的線條不整齊,線間距減小。當(dāng)滲鍍現(xiàn)象較輕時(shí),會(huì)在凸塊周圍一圈形成多余的焊料,這樣在后續(xù)封裝時(shí)對(duì)底部填充劑的兼容性不好,甚至壓根貼不上去,而造成空洞。焊料在反復(fù)的回流過程中也可能通過縫隙橋接在一起而短路。當(dāng)滲鍍現(xiàn)象嚴(yán)重時(shí),也會(huì)由于焊料和焊料之間出現(xiàn)橋接而造成芯片短路現(xiàn)象,嚴(yán)重影響芯片的性能和質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種改良的焊接凸塊的形成方法,從而克服現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的滲鍍現(xiàn)象。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用一種形成焊接凸塊的方法,包括下列步驟:
提供半導(dǎo)體基底;
在基底上形成銅材質(zhì)的重布線焊墊;
對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理,去除其表面的銅氧化物;
在基底和重布線焊墊上形成再鈍化層,在需要形成焊接凸塊的位置作開口,露出重布線焊墊;
用助焊劑清洗出露的重布線焊墊;
在開口內(nèi)的重布線焊墊上形成焊接凸塊。
優(yōu)選的,所述對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理,為用氬氣對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面刻蝕。
優(yōu)選的,所述對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理,去除重布線焊墊表層至少50埃的厚度。
優(yōu)選的,所述對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理,在等離子刻蝕設(shè)備中進(jìn)行,刻蝕設(shè)備頂部射頻功率為100瓦~1000瓦,底部射頻功率為100~1000瓦,氬氣流量為每分鐘1標(biāo)準(zhǔn)立方厘米~20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。
優(yōu)選的,所述再鈍化層需要在對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理之后的兩小時(shí)內(nèi)涂布。
本發(fā)明通過首先對(duì)重布線焊墊進(jìn)行表面處理,去除其表面的銅氧化物,然后再形成再鈍化層,此時(shí)再鈍化層就與銅單質(zhì)表面貼合,二者之間有很好的連接力,后續(xù)的用助焊劑清洗出露的重布線焊墊時(shí),助焊劑只會(huì)刻蝕銅氧化物,而對(duì)銅單質(zhì)沒有影響,所以再鈍化層與重布線焊墊之間不會(huì)產(chǎn)生縫隙,也就不會(huì)產(chǎn)生后續(xù)的滲鍍現(xiàn)象,因而提高了芯片的性能和質(zhì)量。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有一種形成焊接凸塊的方法的流程圖;
圖2顯示了按照?qǐng)D1所示方法形成的焊接凸塊具有滲鍍現(xiàn)象的不足;
圖3為本發(fā)明的形成焊接凸塊的方法的流程圖;
圖4a至圖4g為根據(jù)圖3的流程形成焊接凸塊的過程示意圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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