[發(fā)明專利]電子水平傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910055351.1 | 申請日： | 2009-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN101963503A | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張甌 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州華達科捷光電儀器有限公司 |
| 主分類號： | G01C9/24 | 分類號： | G01C9/24;G01C9/26 |
| 代理公司： | 上海翰鴻律師事務(wù)所 31246 | 代理人： | 李佳銘 |
| 地址： | 213023 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子 水平 傳感器 | ||
1.一種電子水平傳感器，所述電子水平傳感器包括密閉容器、電極薄膜和公共電極，所述密閉容器內(nèi)充注有導(dǎo)電液體，并留有由空氣形成的一氣泡，所述導(dǎo)電液體分別與所述電極薄膜以及所述公共電極保持接觸，其特征在于：
所述密閉容器具有被低溫納米級玻璃漿密封的延伸縫；
所述電極薄膜及所述公共電極分別被真空鍍膜在所述密閉容器的內(nèi)表面，且所述電極薄膜及所述公共電極分別通過所述延伸縫向所述密閉容器的外表面延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述密閉容器包括上基片，容器器壁以及下基片，且自上而下依次連接；
所述電極薄膜被真空鍍膜在所述上基片的下表面；
所述公共電極被真空鍍膜在所述下基片的上表面；
所述延伸縫位于所述容器器壁與所述上基片以及所述下基片的連接處；
所述容器器壁、上基片和下基片均為絕緣體。
3.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述密閉容器為柱體。
4.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述低溫納米級玻璃漿為200nm以上級。
5.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述密閉容器的頂部內(nèi)表面采用精研磨方法進行曲面加工。
6.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述電極薄膜均勻地分布在所述密閉容器頂部的內(nèi)表面上，所述公共電極完全覆蓋所述密閉容器底部的內(nèi)表面。
7.如權(quán)利要求6所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述電極薄膜的數(shù)量至少為兩個。
8.如權(quán)利要求6所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述電極薄膜的數(shù)量為四個。
9.如權(quán)利要求1所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電液體為環(huán)保型成分。
10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的電子水平傳感器，其特征在于，所述電極薄膜及所述公共電極的材料為高電導(dǎo)率鉑金材料，所述鉑金材料的純度為99.9％。
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