[發明專利]一種肖特基二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 200910055194.4
• 申請日: 2009-07-22
• 公開（公告）號: CN101656272A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 黎坡;張擁華;周建華;彭樹根
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種肖特基二極管，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

形成于所述半導體襯底上表層的第二導電類型第一摻雜區；

形成于所述半導體襯底表面、并覆蓋至少一部分所述第一摻雜區的、用于形成肖特基結的金屬電極；

以及用于引出半導體襯底電極的第二導電類型第二摻雜區；

用于將肖特基結與所述半導體襯底隔離的、相鄰形成于所述第一摻雜區大致正下方的第二導電類型第三摻雜區，且所述第三摻雜區的摻雜濃度大于所述第一摻雜區的摻雜濃度，并小于所述第二摻雜區的摻雜濃度；

其特征在于，所述第二導電類型第一摻雜區通過所述第三摻雜區的雜質擴散自對準同步形成。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第二導電類型第二摻雜區與所述第一摻雜區和所述第三摻雜區均相鄰接觸。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

5.一種如權利要求1所述肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供第一導電類型的半導體襯底；

(2)構圖摻雜形成位于所述半導體襯底中的第二導電類型第三摻雜區，用于將肖特基結與半導體襯底隔離，同時通過第三摻雜區的雜質擴散自對準同步形成位于半導體襯底上表層的、第二導電類型第一摻雜區，所述第一摻雜區的摻雜濃度小于所述第三摻雜區的摻雜濃度；

(3)構圖摻雜形成位于所述半導體襯底上表層的第二導電類型第二摻雜區，所述第二摻雜區與所述第一摻雜區和所述第三摻雜區均相鄰接觸，用于引出半導體襯底電極，所述第二摻雜區的摻雜濃度大于所述第三摻雜區的摻雜濃度；

(4)在所述半導體襯底表面構圖形成覆蓋至少一部分所述第一摻雜區的肖特基金屬電極。

6.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第三摻雜區的摻雜為第二導電類型的深離子注入，其離子注入能量范圍為500KeV-2MeV。

7.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區位于所述第三摻雜區大致正上方，并與所述第三摻雜區相鄰接觸。

8.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第三摻雜區的形成，與其他位于半導體襯底中的第二導電類型摻雜區的形成同時進行。

9.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述肖特基金屬電極可先于所述第二摻雜區構圖形成。

10.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

11.根據權利要求5所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。