[發明專利]大口徑ZnS紅外窗口的鍍膜方法有效
| 申請號： | 200910055158.8 | 申請日： | 2009-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN101956157A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發明（設計）人： | 周東平;趙培 | 申請（專利權）人： | 上海歐菲爾光電技術有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 楊元焱 |
| 地址： | 200434 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 口徑 zns 紅外 窗口 鍍膜 方法 | ||
1.一種大口徑ZnS紅外窗口的鍍膜方法，其特征在于，包括以下措施和步驟：
a、清潔ZnS窗口，去除表面的油漬與灰塵；
b、在ZnS窗口的一個面鍍制一層傳熱工藝膜；
c、清潔ZnS窗口的另一個面，去除表面的油漬與灰塵；
d、在ZnS窗口的已清潔的面鍍制按要求設計的一層或多層光學薄膜；
e、利用去膜液去除ZnS窗口的傳熱工藝膜；
f、在ZnS窗口已鍍的光學薄膜上鍍制一層傳熱工藝膜；
g、清潔ZnS窗口未鍍膜面，去除表面的油漬與灰塵；
h、在ZnS窗口的未鍍膜面鍍制按要求設計的一層或多層光學薄膜；
i、利用去膜液去除ZnS窗口的傳熱工藝膜；
j、清潔ZnS窗口。
2.如權利要求1所述的大口徑ZnS紅外窗口的鍍膜方法，其特征在于：
所述的傳熱工藝膜為金屬薄膜，選用鋁、金、銀、鉻、鎳、鉑、鉈或銅等材料中的一種真空蒸鍍形成，厚度為50nm-2um。
3.如權利要求1所述的大口徑ZnS紅外窗口的鍍膜方法，其特征在于：
所述的光學薄膜采用ZnS與YbF3、Ge中的一種或兩種物質交替使用蒸鍍形成，蒸鍍工藝條件為：
溫度：80℃～200℃；
恒溫時間：0.5小時～3小時；
ZnS蒸發速率：0.6～1.2nm/s，Ge蒸發速率：0.7～1.5nm/s，YbF3蒸發速率：0.7～1.5nm/s；
離子源清潔參數：陽極電壓60～180V，陽極電流0.5～5A，時間5～15分鐘。
4.如權利要求1所述的大口徑ZnS紅外窗口的鍍膜方法，其特征在于：所述的光學薄膜包括增透膜、分光膜、截止膜和帶通濾光片。
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