[發明專利]半導體器件及半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 200910054960.5
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN101958310A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 王琪;周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底表面上的金屬層；

形成在所述襯底表面并覆蓋所述金屬層的第一介質層；

形成在所述第一介質層表面的第二介質層，所述第二介質層介電常數小于所述第一介質層；

形成在所述第二介質層表面的第三介質層。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層材料選自銅。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層與第二介質層的材料相同，所述第一介質層與第二介質層的材料配比不同。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為50％至60％，C元素質量百分比為10％至20％，N元素質量百分比為25％至30％。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為55％，C元素質量百分比為15％，N元素質量百分比為30％。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為40％至50％，C元素質量百分比為40％至50％，N元素質量百分比為5％至15％。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第二介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為45％，C元素質量百分比為45％，N元素質量百分比為10％。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第三介質層材料為碳摻雜的氧化硅。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層與第二介質層的形成方法為介質化學氣相沉積法。

10.一種半導體器件的形成方法，包括：

提供襯底，所述襯底表面形成有金屬層；

在所述襯底表面形成覆蓋金屬層的第一介質層；

在所述第一介質層表面形成第二介質層，所述第二介質層介電常數小于所述第一介質層；

在所述第二介質層表面形成第三介質層。

11.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層與第二介質層的材料相同，所述第一介質層與第二介質層的材料配比不同。

12.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為50％至60％，C元素質量百分比為10％至20％，N元素質量百分比為25％至30％。

13.如權利要求12所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為55％，C元素質量百分比為15％，N元素質量百分比為30％。

14.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的形成工藝為介質化學氣相沉積法。

15.如權利要求14所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成第一介質層的工藝參數為：反應溫度為300攝氏度至400攝氏度，腔室壓力為3.7托至4.2托，反應間距為5毫米至8毫米，功率為200瓦至240瓦，四乙氧基硅烷流量為每分鐘300標準立方厘米至每分鐘400標準立方厘米，氨氣流量為每分鐘650標準立方厘米至每分鐘750標準立方厘米。

16.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為40％至50％，C元素質量百分比為40％至50％，N元素質量百分比為5％至15％。

17.如權利要求16所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層材料選自氮摻雜的碳化硅，其中Si元素質量百分比為45％，C元素質量百分比為45％，N元素質量百分比為10％。

18.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的形成工藝為介質化學氣相沉積法。