[發明專利]形成相變材料的裝置以及制造相變存儲器的系統有效
| 申請號: | 200910054946.5 | 申請日: | 2009-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN101958396A | 公開(公告)日: | 2011-01-26 |
| 發明(設計)人: | 三重野文健 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L45/00 | 分類號: | H01L45/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 相變 材料 裝置 以及 制造 存儲器 系統 | ||
1.一種形成相變材料的裝置,其特征在于,所述相變材料為氣態的含氫硫族化物,所述裝置至少包括:
反應室,用于承載第一反應物以及提供反應場所以產生所述相變材料;
牽引控制單元,用于牽引第二反應物,使其在所述反應室中與所述第一反應物進行反應并控制兩者的反應速度。
2.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述反應室至少包括承液槽,用于承載液態的第一反應物。
3.如權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述第一反應物為液態的還原劑。
4.如權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第一反應物為鹽酸或磷酸溶液。
5.如權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述反應室中的反應壓強為0-1個標準大氣壓,反應溫度為20-80攝氏度。
6.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述牽引控制單元至少包括用于牽引固態的第二反應物的部件。
7.如權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述第二反應物為含至少具有鍺、砷、硅、銻和碲之一離子的固態鹽。
8.如權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述第二反應物為鎂或鋁的碲化物。
9.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述牽引控制單元包括:
控制單元,用于產生對所述第二反應物與所述第一反應物的接觸面積進行調整的調節信號;
調節執行部件,用于根據所述調節信號,調節所述第二反應物與所述第一反應物的接觸面積;
連接部件,用于連接所述第二反應物與所述調節執行部件。
10.如權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述控制單元包括:
測量單元,用于測量所述反應室中的壓強;
調節信號產生單元,用于根據所述壓強,產生所述調節信號。
11.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述牽引控制單元包括:
測量單元,用于測量所述反應室中的反應壓強;
控制單元,用于根據所述測量單元的測量結果,產生控制信號;
調節部件,用于連接所述第二反應物,并根據所述控制信號,控制所述第二反應物與所述第一反應物的接觸面積。
12.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括溫度控制單元,用于控制所述反應室內的反應溫度。
13.如權利要求12所述的裝置,其特征在于,所述溫度控制單元包括:
測量單元,用于測量所述反應室中的反應溫度;
調節單元,用于根據所述測量單元獲得的結果,對所述反應室中的反應溫度進行調節。
14.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括壓強控制單元,用于對所形成的氣態的硫族化物的輸出壓強進行控制。
15.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括凈化單元,連接于所述反應室和所述壓強控制單元之間,用于對所形成的氣態硫族化物進行凈化,過濾其中的雜質氣體。
16.一種應用如權利要求1-15所述任一項形成相變材料的裝置的制造相變存儲器的系統,其特征在于,還包括沉積裝置,用于與所述形成相變材料的裝置相連接,接收其輸出的作為相變材料的氣態的硫族化物,并根據所述相變材料,形成相變存儲器的相變材料層;其中,所述沉積裝置的接收管道上具有多個輸送氣體的分支管道,用于對多種氣態的硫族化物和摻雜氣體進行分離和濃度控制。
17.如權利要求16所述的系統,其特征在于,所述形成相變材料的裝置的輸出口與所述沉積裝置輸入口之間的距離不超過兩米。
18.如權利要求16所述的系統,其特征在于,所述沉積裝置根據不同的相變材料層形成方法,相應地包括不同的反應室。
19.如權利要求16所述的系統,其特征在于,還包括等離子體增強單元,用于將各個氣態的硫族化物以及摻雜氣體進行等離子體增強,并將經等離子體增強后的各個氣態硫族化物及摻雜氣體分別輸出至對應的分支管道。
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