[發(fā)明專利]在晶圓上形成互連通孔失敗的補(bǔ)救方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910054933.8
• 申請(qǐng)日: 2009-07-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101958276A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉致云;鄒勝;王春華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種在晶圓上形成互連通孔失敗的補(bǔ)救方法，其中所述晶圓包括：襯底，以及所述襯底上形成有第一通孔的第一介質(zhì)層，其特征在于，包括以下步驟：

通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨去掉部分刻蝕失敗的第一通孔及其相應(yīng)部分的介質(zhì)層；

在剩余的介質(zhì)層上淀積介質(zhì)物，并填充剩余部分第一通孔，形成第二介質(zhì)層，且所述淀積介質(zhì)物的厚度不小于去掉的介質(zhì)層的厚度；

刻蝕所述第二介質(zhì)層，在所述第二介質(zhì)層中形成第二通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的補(bǔ)救方法，其特征在于，研磨去掉的部分刻蝕失敗的第一通孔的深度占第一通孔總深度的60％～80％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的補(bǔ)救方法，其特征在于，所述補(bǔ)救方法還包括：化學(xué)機(jī)械研磨拋光所述第二介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的補(bǔ)救方法，其特征在于，所述第一及第二介質(zhì)層均為氧化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的補(bǔ)救方法，其特征在于，所述第一及第二介質(zhì)層厚度均大于