[發明專利]薄膜晶體管陣列基板制造方法

無效

• 申請號: 200910054842.4
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN101609236A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 秦丹丹
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

1、一種薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一基板，并在該基板上沉積第一金屬層和一第一光刻膠層，利用第一光罩形成柵極、柵極掃描線、數據線，且所述柵極與柵極掃描線電氣連接，所述數據線被柵極掃描線分隔開為多段；

在基板上繼續沉積柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層和一第二光刻膠層，利用第二光罩形成源極區、漏極區、溝道，每段數據線上方至少形成有一個接觸孔；

最后在基板上繼續沉積透明導電層，利用第三光罩形成像素電極和跨接電極，并在所述源極區、漏極區形成源極和漏極，所述像素電極和所述漏極相連，所述跨接電極和所述源極相連，所述跨接電極通過接觸孔將相鄰兩段數據線相連。

2、如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述第二光罩為多灰階光罩，對應接觸孔處的光罩具有最大透光度，通過掩模曝光之后，接觸孔處的第二光刻膠層被完全去除，刻蝕后形成接觸孔。

3、如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，利用第二光罩形成接觸孔時，對應像素電極區處的光罩具有最大透光度，通過掩模曝光之后，像素電極區處的第二光刻膠層被完全去除，刻蝕后像素電極區上的柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層被一并去除。