[發明專利]LED模組的防水密封結構及其制備工藝

無效

• 申請號: 200910054820.8
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN101603678A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 姜標;陳錦峰;王萬軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海有機化學研究所
• 主分類號: F21V31/00
• 分類號: F21V31/00;F21Y101/02
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 鄔震中

1、一種LED模組的防水密封結構，包括LED元件(5)、基板(6)、電極(7)、線路板(8)，其特征在于所述的LED模組整體表面被parylene薄膜(9)包覆。

2、根據權利要求1所述LED模組的防水密封結構，其特征在于所述的parylene薄膜(9)的厚度為3～25μm。

3、根據權利要求1所述LED模組的防水密封結構，其特征在于所述的parylene薄膜(9)為parylene?N、parylene?C、parylene?D或parylene?VT4中的一種。

4、根據權利要求1所述LED模組的防水密封結構，其特征在于所述的防水密封結構用于大功率LED模組、照明LED模組或顯示LED模組中的一種。

5、一種根據權利要求1所述LED模組的防水密封結構的制備工藝，包括下述步驟：

(1)LED模組放入乙醇或丙酮中超聲清洗1～10分鐘，放入真空干燥箱中90～110℃下真空干燥10～20分鐘；

(2)把parylene原料(1-2)20～100g盛裝在蒸發室里(1)的蒸發舟(1-3)內，關閉蒸發室門(1-1)；

(3)把干燥后的LED模組掛在的支架(3-3)上，放入沉積室(3)；

(4)將含有1～10g硅烷偶聯劑的海棉(3-5)放入沉積室(3)中之后開始系統抽真空，當系統真空度上升后硅烷偶聯劑蒸發為氣體附著在LED模組表面，以活化表面增強薄膜在LED模組表面的附著力；

(5)冷阱(4)溫度控制在-70℃以下，待系統真空度達到15Pa以下后，將裂解爐(2)升溫到700～715℃，同時打開沉積室支架轉動電機，轉速控制在3～5轉/分鐘；

(6)將蒸發室溫度穩步升溫，控制沉積室真空度在20Pa以下。此時，parylene原料(1-2)在蒸發室蒸發為氣體進入裂解爐(2)，成為帶有雙自由基的活性單體進入沉積室，并在LED芯片表面聚合成parylene薄膜，成膜速率在0.3～2.5μm/h；

(7)通過沉積室蓋(3-1)上的觀察窗(3-2)監測玻璃的透明度，以控制涂覆質量，涂覆的薄膜厚度在3～25μm；

(8)當繼續升高蒸發室溫度后，沉積室真空度未出現下降時，表明原料已經蒸發完，可結束涂覆，此時將蒸發室溫度降到55℃以下，裂解爐溫度降到600℃以下，然后打開放氣閥，開啟沉積室蓋取出LED模組。

6、根據權利要求5所述的制備工藝，其特征是所述的步驟(3)把干燥后的LED模組掛在的支架上，放入沉積室，同時放入一塊載玻片；在所述的步驟(8)后測量同批涂覆的載玻片上parylene薄膜厚度，即為LED模組防水密封結構上的薄膜厚度。

7、根據權利要求5所述的制備工藝，其特征在于選用的硅烷偶聯劑為KH560、KH570或A174中的一種。