[發明專利]改善半導體元器件性能的方法

無效

• 申請號: 200910054803.4
• 申請日: 2009-07-14
• 公開（公告）號: CN101958226A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 居建華;劉兵武;神兆旭
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/316
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種改善半導體元器件性能的方法，該方法包括：

預先指定半導體元器件制造工藝中的至少一個工藝過程；

對所述預先指定的工藝過程進行降低熱預算的操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預先指定的工藝過程包括：

原位蒸汽發生工藝過程、快速熱氧化工藝過程、犧牲氧化層沉積工藝過程中的任意一個或多個工藝過程。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述預先指定的工藝過程包括原位蒸汽發生工藝過程時，所述對所述預先指定的工藝過程進行降低熱預算的操作包括：

減小所述原位蒸汽發生工藝過程中襯氧化層的厚度。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：

所述減小后的襯氧化層的厚度為50～105埃。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述預先指定的工藝過程包括快速熱氧化工藝過程時，所述對所述預先指定的工藝過程進行降低熱預算的操作包括：

降低所述快速熱氧化工藝過程中的溫度。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：

所述降低后的快速熱氧化工藝過程中的溫度為550～1050攝氏度。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述預先指定的工藝過程包括犧牲氧化層沉積工藝過程時，所述對所述預先指定的工藝過程進行降低熱預算的操作包括：

不進行所述犧牲氧化層沉積工藝過程。