[發明專利]石英改板清洗方法有效
| 申請號： | 200910054800.0 | 申請日： | 2009-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN101958225A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發明（設計）人： | 孫長勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石英 清洗 方法 | ||
1.一種石英改板清洗方法，干法刻蝕停止后，該方法包括：將石英改板從干法刻蝕裝置中拆卸下來，對石英改板進行烘焙。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述烘焙的方法為：將石英改板放置于烤箱中，并在烤箱中通入空氣；或，使用電阻絲對石英改板進行烘焙。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：對石英改板烘焙后，對石英改板進行噴淋清洗。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述噴淋清洗的方法為：采用去離子水DIW對石英改板進行噴淋清洗。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：對石英改板進行噴淋清洗后，對石英改板進行干燥。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述干燥的方法為：采用流動的氮氣N2或氬氣Ar對石英改板進行干燥。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述烘焙的方法為：每隔一小時烘焙溫度升高50℃至100℃，當烘焙溫度達到1000℃時停止烘焙。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：對石英改板烘焙后，對石英改板進行噴淋清洗。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述噴淋清洗的方法為：采用去離子水DIW對石英改板進行噴淋清洗。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：對石英改板進行噴淋清洗后，對石英改板進行干燥。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述干燥的方法為：采用流動的氮氣N2或氬氣Ar對石英改板進行干燥。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
