[發(fā)明專利]鋁線形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910054798.7 | 申請(qǐng)日： | 2009-07-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101958272A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫長(zhǎng)勇;樓豐瑞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/768 | 分類號(hào)： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 線形 成方 | ||
1.一種鋁線形成方法，包括：提供一基底，在該基底上沉積鋁金屬層；在鋁金屬層上旋涂光刻膠PR；對(duì)PR曝光、顯影，形成PR圖形，以所述PR為掩膜，進(jìn)行干法蝕刻，所述干法蝕刻包括主蝕刻工序和過蝕刻工序，其特征在于，主蝕刻工序中蝕刻裝置的偏置功率被調(diào)整至能使PR將聚合物粘貼在石英改板上的功率；過蝕刻工序中蝕刻裝置的轉(zhuǎn)換耦合功率和偏置功率分別被調(diào)整至能使PR將聚合物粘貼在石英改板上的功率，所述石英改板為在蝕刻裝置中隔離電感線圈與晶圓的絕緣板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
在主蝕刻工序中，所述轉(zhuǎn)換耦合功率為720W～880W，所述偏置功率為315W～385W；
且，在過蝕刻工序中，所述轉(zhuǎn)換耦合功率為720W～880W，所述偏置功率為315W～385W。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括：所述主蝕刻工序的蝕刻氣體中三氟甲烷CHF3的流量為零，且所述過蝕刻工序的蝕刻氣體中CHF3的流量為零。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司，未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910054798.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
