[發明專利]對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法

有效

• 申請號: 200910054626.X
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101599451A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 王湘;魏星
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/304;H01L21/3105
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 翟 羽

1.一種對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法，其特征在于，包 括如下步驟：

提供帶有絕緣埋層的半導體襯底，所述絕緣體上硅襯底包括支撐層、絕緣 埋層和頂層半導體層；

在襯底的上表面和下表面均形成覆蓋層，所述上表面是頂層半導體層一側 的表面，下表面是與上表面相對的另一面；

采用邊緣研磨的方法將絕緣埋層和頂層半導體層的邊緣倒角；

將襯底的上表面向上放置于旋轉腐蝕載片平臺上，依次將覆蓋層的腐蝕液 和絕緣埋層的腐蝕溶液通至襯底上表面的覆蓋層并同時旋轉襯底，從而除 去表面的覆蓋層以及襯底邊緣由于半導體層被研磨除去而露出的絕緣埋 層，而保留背面的覆蓋層。

2.根據權利要求1所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法， 其特征在于，所述絕緣埋層與覆蓋層由相同的材料構成。

3.根據權利要求2所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法， 其特征在于，所述絕緣埋層的腐蝕液和絕緣埋層的腐蝕溶液為同一種溶液。

4.根據權利要求2所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法， 其特征在于，所述絕緣埋層與覆蓋層的材料為氧化硅，所述腐蝕液為氫氟 酸。

5.根據權利要求4所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法， 其特征在于，所述氫氟酸腐蝕溶液的濃度范圍是5％至49％。

6.根據權利要求2至5任意一項所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊 緣倒角的方法，其特征在于，所述腐蝕覆蓋層以及絕緣埋層的步驟中，旋 轉腐蝕的旋轉速率大于每分鐘1200圈。

7.根據權利要求4所述的對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法， 其特征在于，所通入氫氟酸的流量范圍為每分鐘500至2500毫升。