[發明專利]Butler矩陣波束形成裝置

無效

• 申請號: 200910054599.6
• 申請日: 2009-07-09
• 公開（公告）號: CN101599784A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 馬德晶;彭宏利;尹文言
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H04B7/02
• 分類號: H04B7/02;H04B1/38
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種Butler矩陣波束形成裝置，其特征在于，包括：兩個輸入混合器、兩個輸出混合器、兩個移相器和一個交叉耦合器，其中：輸入混合器的輸出端分別與移相器和交叉耦合器的輸入端相連接，輸出混合器的輸入端分別與移相器和交叉耦合器的輸出端相連接；?

所述的輸入混合器和輸出混合器均為寬頻帶90°混合器，其中連接混合器輸入端口和輸出端口的平行微帶線的線寬為2.618mm，線長為70.768mm；?

所述的移相器為45°移相器；?

所述的交叉耦合器為左右對稱且上下對稱結構，該交叉耦合器中連接其輸入端口和輸出端口的第一耦合器微帶線的線寬均為4.085mm，所述的交叉耦合器中分別垂直設有5條第二耦合器微帶線，該第二耦合器微帶線的線寬不等，線長26.963mm，其間距依次為25.109mm、24.664mm、24.664mm和25.109mm；?

所述的交叉耦合器的輸出端的引出端的線長均為2.134mm，線寬均為2.618mm，輸入端的引出端之間的距離為28.336mm。?

2.根據權利要求1所述的Butler矩陣波束形成裝置，其特征是，所述波束形成裝置為平面微帶結構，微帶襯底采用FR4介質，其介電常數ε_r=2.55,損耗正切tanδ＝0.001，襯底厚度h_s=0.78mm，微帶傳輸線的厚度h_m＝0.035mm。?

3.根據權利要求1所述的Butler矩陣波束形成裝置，其特征是，所述的平行微帶線之間設有垂直微帶線，該垂直微帶線的線長為28.314mm。?

4.根據權利要求3所述的Butler矩陣波束形成裝置，其特征是，所述的平行微帶線之間設有兩條折線微帶線，該折線微帶線的線寬為0.45mm，夾角為154°，該折線微帶線的夾角定點距離垂直微帶線為23.046mm，距離平行微帶線14.184mm。?

5.根據權利要求1所述的Butler矩陣波束形成裝置，其特征是，所述的移相器為蛇形微帶線結構，其線寬為2.618mm。?