[發明專利]化學機械拋光方法有效
| 申請號： | 200910054547.9 | 申請日： | 2009-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN101941180A | 公開（公告）日： | 2011-01-12 |
| 發明（設計）人： | 潘繼崗;彭澎 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 謝安昆;宋志強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 機械拋光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種化學機械拋光方法，包括如下步驟：
將晶圓置于第一研磨墊上進行研磨，然后將晶圓置于第二研磨墊上進行研磨，晶圓與第一研磨墊或第二研磨墊之間的壓強滿足如下條件：第一研磨墊或第二研磨墊的第一部分與晶圓的壓強小于2PSI，第一研磨墊或第二研磨墊的第四部分和第五部分與晶圓的壓強范圍為0.5PSI至0.8PSI；
將晶圓置于第三研磨墊上研磨，晶圓與第三研磨墊之間的壓強滿足如下條件：第三研磨墊的第二部分、第三部分、第四部分和第五部分與晶圓的壓強范圍均為1.0PSI至1.2PSI。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，晶圓在第一研磨墊或第二研磨墊上進行研磨所需的時間分別為30秒±5秒。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，晶圓在第三研磨墊上研磨所需時間為50秒±5秒。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，晶圓在第一研磨墊或第二研磨墊上被去除的厚度分別為350埃±25埃。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，晶圓在第三研磨墊上被去除的厚度為600埃±50埃。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910054547.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：注塑模具的頂出裝置
- 下一篇：電腦控制液壓伺服鏈條萬能校驗機床及控制方法
