[發明專利]掩膜制作方法有效
| 申請號： | 200910054504.0 | 申請日： | 2009-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN101943853A | 公開（公告）日： | 2011-01-12 |
| 發明（設計）人： | 田明靜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F1/08;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作方法 | ||
1.一種掩膜制作方法，包括：
提供電路原始圖形；
在電路原始圖形之間添加輔助圖形，以提高圖形密度分布的均勻度，所述輔助圖形及原始圖形均為透光型圖形；
提供包含不透光層與相位移層的基板；
將電路原始圖形及輔助圖形構成的整個圖形轉移至所述不透光層上，形成不透光層圖形；
用光刻膠覆蓋不透光層圖形中的輔助圖形區域，并暴露出不透光層圖形中的原始圖形區域；
干法刻蝕所述暴露出的原始圖形區域下的相位移層，將不透光層圖形中的原始圖形轉移至相位移層，形成相位移層圖形；
去除所述光刻膠及不透光層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，添加輔助圖形后，輔助圖形及原始圖形構成的整個圖形中，原始圖形最小主圖形線寬與任意兩相鄰圖形的間隔距離的比例范圍為1∶1～1∶2。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除不透光層的步驟采用濕法刻蝕工藝。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述用光刻膠覆蓋不透光層圖形中的輔助圖形區域，并暴露出不透光層圖形中的原始圖形區域的步驟，具體包括：
在不透光層及不透光層圖形的空隙暴露出的相位移層上涂布光刻膠；
通過曝光及顯影工藝，將不透光層圖形中原始圖形區域的光刻膠去除，暴露出原始圖形區域，并保留覆蓋于輔助圖形區域的光刻膠。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板為石英基板。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述不透光層為鉻金屬層。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相位移層為硅化鉬。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
