[發(fā)明專利]溝槽的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910054403.3
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN101937865A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種溝槽的形成方法，包括：

提供形成有介質(zhì)層的襯底；

在所述介質(zhì)層上形成底部抗反射層；

在所述底部抗反射層上形成光刻膠圖形；

其特征在于，還包括：

以所述光刻膠圖形為掩膜，以第一刻蝕工藝刻蝕第一厚度的底部抗反射層，形成第一抗反射層圖形；

以所述光刻膠圖形，第一底部抗反射層圖形為掩膜，以第二刻蝕工藝刻蝕所述底部抗反射層直至形成第二底部抗反射層圖形，所述第二刻蝕工藝中的等離子轟擊能力低于所述第一刻蝕工藝；

以所述光刻膠圖形、第一底部抗反射層圖形和第二底部抗反射層圖形為掩膜，以第三刻蝕工藝刻蝕介質(zhì)層，形成溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述的第一厚度為所述底部抗反射層厚度的60％至75％。

3.如權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為等離子體刻蝕工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝具體參數(shù)為：腔體壓力為35毫托至45毫托，偏壓功率為550瓦至700瓦，O₂流量為每分鐘40標準立方厘米至每分鐘50標準立方厘米，N₂流量為每分鐘300標準立方厘米至每分鐘400標準立方厘米。

5.如權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝等離子體刻蝕工藝，所述第二刻蝕工藝刻蝕氣體選用原子直徑小于O的氣體。

6.如權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝刻蝕氣體為H₂。

7.如權(quán)利要求5所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝具體參數(shù)為：腔體壓力為35毫托至45毫托，偏壓功率為700瓦至900瓦，H₂流量為每分鐘150標準立方厘米至每分鐘250標準立方厘米，N₂流量為每分鐘300標準立方厘米至每分鐘400標準立方厘米。

8.如權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第三刻蝕工藝為偏壓頻率為2MHz的等離子體刻蝕工藝。

9.如權(quán)利要求7所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第三刻蝕工藝具體參數(shù)為：腔體壓力可以為45毫托至60毫托，源功率為1200瓦至1500瓦，2MHz的偏壓功率為150瓦至200瓦，CF₄流量為每分鐘280標準立方厘米至每分鐘300標準立方厘米。