[發明專利]一種C、N含量可調的共摻雜納米TiO2薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200910054289.4
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN101591769A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 崔曉莉;朱蕾;孫鈺鶥;謝建設
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸 飛;盛志范

1.一種C、N含量可調的共摻雜納米TiO₂薄膜的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

(1)先采用反應磁控濺射鍍膜方法制備C、N成分可調的TiCN薄膜，其中，采用碳 鈦鑲嵌濺射靶，濺射靶的橫截面中，碳、鈦面積比為0.065～0.21；先將工作室抽至10^-3Pa 量級的真空，依次通過反應氣體氮氣和濺射氣體氬氣，調節氮、氬氣體的體積比為1∶2～1∶4； 然后調節高真空閥，使工作室壓強保持在1.5～4Pa，控制濺射電流為0.5～1A，濺射時間為 0.5～3小時；制備過程中，通過調節濺射靶中碳、鈦面積比以及氮、氬氣體體積比來控制 TiCN薄膜中的C、N含量比例，通過調節濺射電流和濺射時間來控制TiCN薄膜的厚度；

(2)然后采用熱氧化方法處理TiCN薄膜，制備得碳氮摻雜納米二氧化鈦薄膜。