[發明專利]清洗試劑以及鋁焊盤的制作工藝無效
| 申請號： | 200910054020.6 | 申請日： | 2009-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101928947A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李鶴鳴;葉彬;徐長春 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | C23G1/12 | 分類號： | C23G1/12;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 試劑 以及 鋁焊盤 制作 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種清洗試劑，用于清洗金屬鋁，其特征在于，包括：H2SO4，H2O，H2O2，其中H2SO4的體積百分比含量為3～10％，H2O2的體積百分比含量為5～20％，其余為H2O。
2.根據權利要求1所述的清洗試劑，其特征在于：H2SO4，H2O，H2O2的體積百分比含量分別為：7％，80％，13％。
3.一種鋁焊盤的制作工藝，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底的主動表面上具有金屬互連線；
在所述半導體襯底上依次形成刻蝕阻擋層以及第一絕緣材料層；
刻蝕所述第一絕緣材料層以及刻蝕阻擋層，在與金屬互連線對應的位置形成開口；
在所述開口內以及第一絕緣材料層上形成金屬鋁層；
去除第一絕緣材料層上的金屬鋁層，形成與金屬互連線電連接的鋁焊盤；
在所述的第一絕緣材料層上形成第二絕緣材料層；
清洗所述鋁焊盤，清洗所述鋁焊盤的清洗液含有H2SO4，H2O，H2O2，其中H2SO4的體積百分比含量為3～10％，H2O2的體積百分比含量為5～20％，其余為H2O。
4.根據權利要求3所述鋁焊盤的制作工藝，其特征在于，第一絕緣材料層為氧化硅層和氮氧化硅層組合形成的復合層。
5.根據權利要求3所述鋁焊盤的制作工藝，其特征在于，第二絕緣材料層為氧化硅層和氮化硅層組合形成的復合層。
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