[發明專利]超低功耗電源電壓檢測電路有效
| 申請號： | 200910053926.6 | 申請日： | 2009-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101930020A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 楊永華;葛利明;陳碧;吳蕾 | 申請（專利權）人： | 上海英聯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00;G01R31/40;G01R31/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功耗 電源 電壓 檢測 電路 | ||
【權利要求書】：
1.超低功耗電源電壓檢測電路，其特征是：利用在不同面積共基極NPN管和射極電阻得到隨溫度成正比的電流；利用電阻作為共射極的偏置得到正溫度系數電壓和負溫度系數VBE之和改善其溫度特性；使用電流鏡作為NPN管的有源負載及電流比較結構作為輸出以增加開環增益及輸出信號幅度。
2.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征一是：面積不同的NPN管Q1、Q2共基極連接。
3.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征二是：面積較大的NPN管Q2射極串聯電阻R0。
4.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征三是：NPN管Q1、Q2的共射極串聯電阻R1。
5.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征四是：鏡像管M1、M2作為NPN管的有源負載。
6.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征五是：M3鏡像M1電流流過M5，M5、M6鏡像電流結構提供自偏置電流。
7.根據權利要求1所述的超低功耗電源電壓檢測電路，其特征六是：M4鏡像M2電流與M6電流比較得到輸出。
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