[發(fā)明專利]提高柵極尺寸均勻性的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910053813.6
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101930921A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張海洋;趙林林
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種提高柵極尺寸均勻性的方法，所述柵極的形成包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵氧化層、多晶硅層、底部抗反射層BARC及光阻膠；

對所述光阻膠進(jìn)行修剪trim，用于定義柵極的位置；

對所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕；

對所述底部抗反射層進(jìn)行過刻蝕；

刻蝕所述多晶硅層形成柵極，去除光阻膠及底部抗反射層；

其特征在于，刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)采用偏置電壓，對光阻膠進(jìn)行修剪。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏置電壓為50～200伏。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用氯氣和氧氣相結(jié)合對光阻膠進(jìn)行修剪。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟分兩步執(zhí)行。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟包括：

采用氯氣和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC；

采用溴化氫和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟包括：

采用溴化氫和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC；

采用氯氣和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻膠進(jìn)行修剪、底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕的方法為干法刻蝕。

8.一種提高柵極尺寸均勻性的方法，所述柵極的形成包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵氧化層、多晶硅層、底部抗反射層BARC及光阻膠；

對所述光阻膠進(jìn)行修剪trim，用于定義柵極的位置；

對所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕；

對所述底部抗反射層進(jìn)行過刻蝕；

刻蝕所述多晶硅層形成柵極，去除光阻膠及底部抗反射層；

其特征在于，所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟分兩步執(zhí)行。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟包括：

采用氯氣和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC；

采用溴化氫和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述底部抗反射層進(jìn)行主刻蝕步驟包括：

采用溴化氫和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC；

采用氯氣和氧氣相結(jié)合刻蝕BARC。