[發(fā)明專利]金屬連線的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910053707.8 | 申請日： | 2009-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN101645415A | 公開（公告）日： | 2010-02-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪洋;王立兵;康軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人： | 鄭 瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 連線 制造 方法 | ||
1.一種金屬連線的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一半導體基底；
在所述基底上形成阻擋層；
對所述阻擋層進行熱處理；
在所述阻擋層上形成金屬層；
在所述金屬層上形成隔離層；
在所述金屬層上形成抗反射層；
在所述抗反射層涂覆光刻膠層，圖案化光刻膠層定義出導線圖案；
依次刻蝕所述抗反射層、所述金屬層和所述阻擋層，形成導線結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為氮化鈦層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層與所述基底之間有第一黏附層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一黏附層為鈦層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬層為鋁層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔離層為氮化鈦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗反射層為氮氧化硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗反射層與所述基底之間有第二層黏附層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二黏附層為鈦層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為350度至450度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述熱處理的時間為40秒至60秒。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
