[發明專利]碳化硅單晶表面多級化學機械拋光方法有效
| 申請號： | 200910053571.0 | 申請日： | 2009-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN101602185A | 公開（公告）日： | 2009-12-16 |
| 發明（設計）人： | 儲耀卿;陳之戰;施爾畏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 20005*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 表面 多級 化學 機械拋光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.碳化硅單晶表面多級化學機械拋光方法，包括下述步驟：
(1)碳化硅單晶表面采用pH值為12～13.5，濃度為30％～50％，粒度大小為80～100nm的SiO2膠體作為拋光液進行拋光，采用拋光布并控制拋光壓力在150～400g/cm2，拋光盤轉速為70～100r/min；
(2)對步驟(1)加工后碳化硅單晶表面采用pH值為10～12，濃度為15％～30％，粒度大小為50～80nm的SiO2膠體作為拋光液進行拋光，采用拋光布并控制拋光壓力在400～1000g/cm2，拋光盤轉速為50～70r/min；
(3)對步驟(2)加工后碳化硅單晶表面采用pH值為8～10，濃度為5％～15％，粒度大小為30～50nm的SiO2膠體作為拋光液進行拋光，采用拋光布并控制拋光壓力在150～400g/cm2，拋光盤轉速為30～50r/min；
步驟(1)中所述的拋光布的邵氏硬度為75～90；
步驟(2)中所述的拋光布的邵氏硬度為65～80；
步驟(3)中所述的拋光布的邵氏硬度為55～70；
所述步驟(1)～步驟(3)中的拋光溫度為25～65℃。
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