[發明專利]鈍化光刻膠表面的方法以及光刻方法有效
| 申請號： | 200910053501.5 | 申請日： | 2009-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN101930179A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 王新鵬;黃怡;韓秋華;沈滿華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;H01L21/3105;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化 光刻 表面 方法 以及 | ||
1.一種鈍化光刻膠表面的方法，包括如下步驟：
提供半導體襯底；
在半導體襯底表面形成圖形化的光刻膠層；
對所述圖形化的光刻膠層的表面進行等離子體處理以鈍化其表面；
其特征在于，通過光刻膠層表面的氣體中含有氮氣和氫氣。
2.根據權利要求1所述的鈍化光刻膠表面的方法，其特征在于，所述氮氣與氫氣的分子數目的比值范圍是2至3。
3.根據權利要求1或2所述的鈍化光刻膠表面的方法，其特征在于，所述氮氣和氫氣的總氣體流量為200sccm至300sccm。
4.根據權利要求1或2所述的鈍化光刻膠表面的方法，其特征在于，所述激發氣體至等離子體的步驟中，激發所采用的源功率大于800W，偏置功率為0。
5.根據權利要求1或2所述的鈍化光刻膠表面的方法，其特征在于，所述等離子體處理步驟的持續時間不低于20秒。
6.根據權利要求1或2所述的鈍化光刻膠表面的方法，其特征在于，所述等離子體處理的過程中，環境氣壓的范圍是5至40帕。
7.一種光刻方法，包括如下步驟：
提供半導體襯底；
在半導體襯底表面形成光刻膠層；
圖形化所述光刻膠層；
對所述圖形化的光刻膠層的表面進行等離子體處理以鈍化其表面；
以經過表面處理的圖形化光刻膠層為掩模，刻蝕半導體襯底；
其特征在于，通過光刻膠層暴露表面的氣體中含有氮氣和氫氣。
8.根據權利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述氮氣與氫氣的分子數目的比值范圍是2至3。
9.根據權利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述氮氣和氫氣的總氣體流量為200sccm至300sccm。
10.根據權利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述激發氣體至等離子體的步驟中，激發所采用的源功率大于800W，偏置功率為0。
11.根據權利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述等離子體處理步驟的持續時間不低于20秒。
12.根據權利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述等離子體處理的過程中，環境氣壓的范圍是5至40帕。
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