[發明專利]一種光刻工藝中移相掩模版的建模方法

有效

• 申請號: 200910053203.6
• 申請日: 2009-06-17
• 公開（公告）號: CN101923278A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 曾璇;蔡偉;宗可
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G06F17/50
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 吳桂琴

1.一種光刻工藝中移相掩模版的建模方法，其特征在于，輸入芯片掩模版信息和光源信息后，按下述步驟，

步驟1：從掩模版的結構出發，結合入射光的條件，建立掩模版的亥姆霍茲方程模型；

步驟2：將掩模版縱向剖分成N個垂直掩模結構，使得兩個相鄰垂直掩模結構的介電常數在垂直方向分布不同，并提取其中的特征垂直掩模結構；

步驟3：針對每一個特征垂直掩模結構，采用基于非連續伽勒金的譜元方法求解特征垂直結構中電場的特征函數和特征值；

步驟4：建立第i個垂直掩模結構的電場模型及其邊界條件；

步驟5：采用并行計算和施瓦茨迭代求解N個垂直掩模結構散射場，或得最終的散射場場強分布。

2.按權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的輸入芯片掩模版信息包括掩模中金屬鉻和石英的位置和厚度、移相材料的位置和厚度；所述的光源信息包括入射光的強度、極化方向以及入射角度。

3.按權利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的光刻掩模版是二維結構的掩模版，其中的材料介電常數沿Y方向是均一的，入射波、散射波和透射波均在X-Z平面中。