[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)計仿真領(lǐng)域中電路容差測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910053010.0
• 申請日: 2009-06-12
• 公開（公告）號: CN101706831A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欣;路向黨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導(dǎo)體設(shè)計仿真領(lǐng)域中器件失配特性的建模方法，其特征在于在標(biāo) 準(zhǔn)模型之外，新建立一個模型卡，該模型卡包含器件失配信息，并且其失配量 的大小由使用者根據(jù)需要設(shè)定，該方法包括下列步驟：

測試被模擬器件的特性；

建立被模擬器件的標(biāo)準(zhǔn)模型；

測試被模擬器件的實際失配特性；

在標(biāo)準(zhǔn)模型的基礎(chǔ)上加入變量和參數(shù)產(chǎn)生包含器件失配信息的失配模型；

計算兩個模型仿真結(jié)果之差，判斷其是否與實際失配特性測試結(jié)果一致，

其中所述標(biāo)準(zhǔn)模型反映器件的標(biāo)準(zhǔn)電學(xué)特性，所述失配模型應(yīng)用到仿真中 時根據(jù)使用者輸入的信息產(chǎn)生不同的失配偏移量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述標(biāo) 準(zhǔn)模型和失配模型包括可應(yīng)用于SPICE仿真的模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述器 件失配模型為應(yīng)用于SPICE仿真的模型，其包含器件失配信息，失配的偏移量 的大小作為輸入?yún)?shù)由使用者定義。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述參 數(shù)包括開啟電壓Vth、飽和電流Idsat、漏源電導(dǎo)Gds、跨導(dǎo)Gm、電阻值和電容 值以及其他電學(xué)特性參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述仿 真運算使用SPICE仿真軟件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，失配偏 移量的大小由使用者定義，單位為Sigma，Sigma值的信息包含在失配模型中， 并在建模時調(diào)整得和實際的器件性能的統(tǒng)計數(shù)據(jù)一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，調(diào)節(jié)標(biāo) 準(zhǔn)模型中的各種參數(shù)包括開啟電壓Vth參數(shù)，遷移率U的參數(shù)，反應(yīng)器件尺寸 的參數(shù)，反應(yīng)柵氧化層厚度Tox的參數(shù)，最終調(diào)節(jié)的目的是使得該失配模型與 標(biāo)準(zhǔn)模型的差值和統(tǒng)計實際兩個器件性能差值的方差一致。