[發明專利]一種用于可編程邏輯器件的增益單元eDRAM

無效

• 申請號: 200910052912.2
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101923890A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 林殷茵;薛曉勇
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C11/401
• 分類號: G11C11/401
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種用于可編程邏輯器件的增益單元eDRAM，包括讀MOS晶體管、寫MOS晶體管、寫字線、讀字線、寫位線、讀位線以及等效寄生電容；寫MOS晶體管的柵極連接于寫字線，寫MOS晶體管的漏端/源端連接于寫位線，寫MOS晶體管的源端/漏端連接于所述等效寄生電容的存儲電荷端，讀MOS晶體管的柵極連接于所述等效寄生電容的存儲電荷端，讀MOS晶體管的漏端/源端連接于讀位線，讀MOS晶體管的源端/漏端連接于讀字線；其特征在于，還包括置于所述等效寄生電容與開關管的柵極之間的隔離MOS管，所述等效寄生電容的存儲電荷端通過隔離MOS管傳輸電平控制所述可編程邏輯器件的開關管的狀態。

2.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述等效寄生電容為寫MOS晶體管的有源區寄生電容、讀MOS晶體管的柵電容、隔離MOS管的有源區電容中的一種，或者為寫MOS晶體管的有源區寄生電容、讀MOS晶體管的柵電容、隔離MOS管的有源區電容的組合。

3.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述隔離MOS管為NMOS晶體管或者PMOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述寫MOS晶體管和讀MOS晶體管均為PMOS晶體管。

5.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述寫MOS晶體管和讀MOS晶體管均為NMOS晶體管。

6.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述可編程邏輯器件為現場可編程門陣列。

7.根據權利要求1所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述隔離MOS管的柵極受選通線控制。

8.根據權利要求7所述的增益單元eDRAM，其特征在于，所述寫字線、寫位線、讀字線、讀位線和選通線受外圍存儲控制電路模塊的控制。