[發明專利]一種四晶體管SRAM單元制造方法有效

申請號：	200910052809.8	申請日：	2009-06-09
公開（公告）號：	CN101640187A	公開（公告）日：	2010-02-03
發明（設計）人：	胡劍;孔蔚然	申請（專利權）人：	上海宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L21/8244	分類號：	H01L21/8244;H01L21/336;H01L21/283;H01L21/02
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)	代理人：	鄭瑋
地址：	201203上海市***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種晶體管 sram 單元制造方法
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【權利要求書】：

1.一種四晶體管SRAM單元制造方法，所述四晶體管SRAM單元包括四個晶體管和一對高阻值負載電阻，所述晶體管的柵極制作過程包括：在對應于晶體管的區域沉積無摻雜多晶硅并進行刻蝕以形成多晶硅柵極，然后通過離子注入對晶體管的多晶硅柵極進行摻雜，其特征在于，所述方法在對應于晶體管的區域沉積無摻雜多晶硅的同時，也在對應于高阻值負載電阻的區域沉積無摻雜多晶硅；并且在刻蝕以形成多晶硅柵極的同時，通過刻蝕除去多余的多晶硅，形成高阻值負載電阻。

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