[發明專利]一種Au-ZnO二維光子晶體結構及其制備方法

無效

• 申請號: 200910052787.5
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101570892A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 吳瑋;朱自強;郁可;張正犁;白丹;張志
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B29/60;B01J13/02
• 代理公司: 上海藍迪專利事務所
• 代理人: 徐筱梅

1.一種Au-ZnO二維光子晶體結構的制備方法，其特征在于該晶體結構是 由生長在硅片上的正六面體量子點以六角陣列排列而成，其量子點底端為ZnO， 頂端為Au，量子點高度在95～105nm，邊長在100～125nm，陣列間距在450～ 500nm；其制備方法包括以下具體步驟：

a)、制作單層聚苯乙烯小球模板

將硅片清洗干凈，垂直放入聚苯乙烯小球懸濁液中后，置入電熱恒溫鼓風 干燥箱中靜止3～4天，溫度30～50℃，得到模板；

b)、制作圖案化的Au催化劑

將步驟a得到的模板放入小型離子濺射儀內，對其噴Au，功率控制在2～ 3W，時間50～200s；再將模板放到石英舟內，將石英舟放入預先已加熱至450～ 500℃的水平管式生長爐中，保持450～500℃1～1.5小時，取出石英舟，取 出模板；

c)、生長Au-ZnO二維光子晶體結構

將ZnO與炭粉以質量比為1～2∶1～3的比例研磨均勻，作為蒸發源放到石 英舟里，再將步驟b得到的模板豎插在石英舟上，模板與蒸發源的垂直距離為3～ 8mm；將石英舟放入預先已加熱至700～850℃的水平管式生長爐中，爐內通入流 量為0.5L/min～2L/min的惰性氣體N₂作為載氣，在大氣壓強下保持700～850 ℃，反應30～50min；反應結束，取出石英舟，自然降溫后，在硅片上得到Au-ZnO 二維光子晶體結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于聚苯乙烯小球懸濁液的質量分 數為0.1～0.2％并經超聲3～5小時處理。