[發明專利]一種采用雙鑲嵌工藝制造半導體元件的方法

無效

• 申請號: 200910052551.1
• 申請日: 2009-06-04
• 公開（公告）號: CN101567332A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 李全寶;潘駿翊;周磊
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/31;H01L21/311;G03F7/16
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種雙鑲嵌工藝制造方法，其包括如下步驟：

介質孔圖案光刻膠涂布；

介質孔圖案蝕刻；

底部抗反射涂層涂布；

溝槽圖案光刻膠涂布；

溝槽圖案蝕刻；

其特征在于：在底部抗反射涂層涂布步驟之后，溝槽圖案光刻膠涂布步驟之前進行底部抗反射涂層回蝕的步驟。

2.根據權利要求1中所述的雙鑲嵌工藝制造方法，其特征在于所述底部抗反射涂層回蝕步驟后使底部抗反射涂層厚度高于中間刻蝕阻擋層，從而保證溝槽刻蝕工藝的可控性。

3.根據權利要求2中所述的雙鑲嵌工藝制造方法，其特征在于在底部抗反射涂層涂布步驟中使所有圖形區介質孔都被充滿。